改进的差分放大器电路

改进的差分放大器电路在差分放大器电路中,增加发射极电阻器Re的电阻可以改善共模抑制比。

但是,在集成电路中制造大电阻电阻并不容易。

使用大电阻器时,不宜使用高压稳压电源。

如果将晶体管发射极的静态电流设置为0.5mA,则Re中的电流为1mA。

当Re为10kΩ时,电源VEE的值为10.7V。

在相同的静态电流下,如果Re =100kΩ,则VEE的值约为100V。

& nbsp;& nbsp;为了不仅使用较低的电源电压,而且使用较大的等效电阻Re,可以使用恒流源电路来代替Re。

当晶体管在放大区域工作时,其集电极电流几乎仅由基极电流决定,与管电压降无关。

当基极电流是恒定的直流电流时,集电极电流是恒定的电流。

因此,要使用工作点稳定电路代替Re,必须使用右上图所示的电路。

恒流源电路不仅在低电源电压下为差分放大器电路设置了合适的静态工作电流,而且还大大增强了共模负反馈效应,从而使电路具有更强的抑制共模信号的能力。

如右上图所示,可以用恒流源代替恒流源电路。

在实际电路中,通常在两个电子管的发射极之间添加一个电阻较小的电位器,请参见下图中的Rw。

调零电位器Rw:当uI1 = uI2 = 0,uO = 0时,调节电位器滑动端的位置可使电路闭合,Rw称为调零电位器。

为了获得具有高输入电阻的差分放大器电路,可以使用场效应管来代替晶体管,如右上图所示。

该电路特别适合于直接耦合的多级放大电路的输入级。

通常情况下,输入电阻可以认为是无限大的。

其应用与晶体管差分放大器电路相同。

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ARF系列片式电阻器设计为低内部电抗。薄膜技术应用于电阻器是适当的,以减少寄生电感和电容。 低内部电抗允许这些器件在高频下保持非常好的电阻器行为。

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