看到这个标题，估计很多人已经笑了。如果您在阅读本文后仍在笑，那意味着您真的了解它。如果您真的感到自己了解，则无需继续阅读。我记得当我毕业并找到工作时，我采访了10多家大小公司，并且看到了很多各种各样的面试问题，但是关于RLC的最基本的电路相关问题几乎是必要的，甚至几乎一半其中的问题与此有关。为什么？一切都从基础开始。这句话我以后会继续重复。到目前为止，这也是我对电路的理解。无论电路多么复杂或冷却，这些都是不可分割的。如果它是真的，那么如果您理解它，那么将来对更高级的知识的了解将对您有很大的帮助。众所周知，电容器可以通过在两端加电压来充电和存储。在理想状态下，它是C：但是现实总是残酷的，您会发现几乎所有工作都在与这些非理想问题作斗争。 ESR（等效串联电阻）如果查看电容器数据表（例如，进入Murata的网上并找到一个），则每个非理想电容器都会有一个称为ESR的指示器。顾名思义，电容器本身具有等效串联电阻，那么电容器的等效电路将变为：该电阻通常有多大？通常是100mΩ〜1000mΩ。具体值取决于电容。确定类型和电容值。我在这里不做详细介绍。当我比较不同电容器之间的差异时，我将详细解释。那么肯定有人会问，这么小的串联电阻会产生什么大影响？抱歉，确实如此，在极端苛刻的条件下，两个电容器将并联连接以降低ESR。例如，LDO的输出电容器，如果ESR太大或太小，则很可能导致LDO的稳定性。另一方面，当使用电容器作为电源的去耦电容时，您想要的R越小越好。当电容器用作去耦电容时，其功能是提供高频电流。如果您的芯片电源具有非常短的100mA峰值电流，而该电流几乎由去耦电容提供。如果您的电容器ESR为1Ω，请假设有100mA电流流过该电阻。当到达另一端时，已经有一个100mV的压降。所以说一句话：通常，您希望此阻力尽可能小。除了用于例如LDO的输出电容器外，ESR的大小也会影响LDO的稳定性，但这是一个长期的问题，并且有机会单独打开它进行详细介绍。在讨论完R之后，我们来谈谈L. ESL（等效串联电感）。在许多情况下，这是一个经常被忽视的指标。您会经常看到ESR规范和许多电容器数据手册。过去没有ESL规范。但是，随着信号频率越来越高，ESL根本不能被忽略。在这种情况下，电容器的等效电路必须变为：ESL主要影响高电容频率特性。通常，此ESL非常小。即使这样，当信号的频率高到一定水平时，该L的阻抗将变得不可忽略。当频率继续上升时，Z_（L）将逐渐变大，因此电容器逐渐开始看起来像电感器。在相同情况下，去耦电容的重要功能之一就是提供瞬时大电流，这里的L会试图防止电流的瞬时变化，因此如果ESL太大，则会大大降低去耦电容的效果。 ，尤其是在高频情况下。上图来自：正常情况下，打开电容器数据表时，会发现电容器阻抗与频率的关系图，如上图所示。这张图片清楚地显示了ESR和ESL如何改变理想电容器的阻抗与频率的关系曲线。