进入20nm节点后，存储器行业还面临着与CPU工艺相同的制造问题。缩放变得越来越困难，并且制造过程很复杂，导致高昂的存储器成本。现在，低于7nm的处理器使用EUV光刻机，内存将很快跟进。 SK海力士计划在韩国的M16工厂引进EUV技术。与当前使用的大量DUV光刻相比，EUV光刻机可以减少多次曝光过程并提供过程精度，从而可以减少生产时间，降低成本并提高性能。 EUV工艺用于存储器后，理论上将降低存储器颗粒的制造成本，这也为降低存储器价格奠定了基础。但是，对于EUV来说，早期阶段比较困难，因为EUV光刻机的售价接近10亿元人民币。建造新的EUV生产线的成本非常高，需要花费很多时间才能消化。据韩国媒体报道，SK海力士成立了专门的研究小组以克服EUV技术。自去年以来，它已经投资了可能用于EUV的TF材料。相关研究由副总裁郑泰宇负责。他是蚀刻技术专家。参与了SK Hynix的首款10nm DRAM“ Arius”的开发项目。以及下一代NAND闪存的发展。 SK海力士也在推进EUV DRAM存储器生产线的建设，预计将在韩国利川的M16工厂中引入。