您知道PowerPAK＆reg;中的-30 VP沟道MOSFET吗？ 1212-8S封装？它有什么作用？几天前，Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所股票代码：VSH）推出了新型-30 V p沟道TrenchFET＆reg;。第四代功率MOSFET-SiSS05DN，该器件采用耐热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK＆reg;。 1212-8S封装的导通电阻在10 V时达到业界最低的3.5 mW。同时，导通电阻与栅极电荷的乘积是MOSFET的重要品质因数（FOM）在开关应用中的功率为172 mW * nC，达到同类产品的最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专用于提高功率密度，其占位面积比6mm x 5mm封装的同类导通电阻器件小65％。几天前发布的MOSFET的导通电阻比上一代解决方案低26％，比市场上排名第二的产品低35％，FOM比同类竞争产品低15％。这些业界最佳的值减少了传导和开关损耗，从而节省了能源并延长了便携式电子设备的电池寿命，同时最大程度地减小了电源路径上的压降以防止错误触发。该器件的紧凑型尺寸便于在有限PCB面积的设计中进行安装。业界标准面积的SiSS05DN可以在将5 V至20 V输入电源应用升级时直接替代现有设备。 MOSFET适用于适配器和负载开关，反极性保护，电池供电的设备电机驱动控制，电池充电器，消费类电子产品，计算机，电信设备等。该器件已通过100％RG和UIS测试，符合RoHS要求，并且卤素灯自由。 SiSS05DN现在可以提供样品，并已实现批量生产。交货时间为12周，具体取决于市场情况。以上是对PowerPAK＆reg;中的-30 V P沟道MOSFET的分析。 1212-8S封装。希望对大家有帮助。