根据国外媒体NewAtlas的报道，德克萨斯大学的工程师创造了有史以来最小的内存存储设备之一，该设备由横截面面积仅为一平方纳米的二维材料制成。这种被称为“原子电阻”的装置通过单个原子的运动来工作，这将为具有难以置信的信息密度的较小的存储系统铺平道路。这种新设备属于称为忆阻器的新型电子设备，它使用电阻式开关来存储数据。本质上，当一种材料暴露于特定电压下时，其电阻可以切换为变强或变弱。该现象可以用于将数据写入设备，然后可以测量其相对电阻以“读取”数据。存储的数据。在这种情况下，可以通过将单个原子移入或移出纳米级孔来处理此电阻开关，这将改变材料的电导率。有关材料是二硫化钼，尽管研究小组指出，这一概念也应适用于一系列类似材料。 “缩放科学的圣杯降到了原子控制记忆功能的水平，这就是我们在新研究中所做的。”该研究的通讯作者德吉·阿金万德（Deji Akinwande）说。研究小组说，新设备是有史以来最小的原子存储单元。将二硫化钼制成薄片，尺寸为1×1纳米，厚度仅为一个原子。如果要扩大规模，可以用它来制造每平方厘米约25TB的存储容量的芯片，这是当前闪存可以提供的容量的约100倍。它也需要更少的能量来运行。 “这项工作的结果为开发下一代应用……诸如超高密度存储，神经形态计算系统，射频通信系统等铺平了道路。”美国陆军研究办公室项目经理帕尼·瓦拉纳西（Pani Varanasi）说。研究结果发表在《自然纳米技术》杂志上。负责编辑AJX