小米10系列可以看作是小米最成功的旗舰手机。中国银行版有三种型号:小米10、10专业版和10极限纪念版。
即使较早的Mi 10发布了,它仍然具有相当的市场竞争力。现在小米Mi 11系列已经发布,当网民相信Mi 10系列的传奇已经过去并且Mi 11的王朝已经建立时,@数码闲聊站爆料说有一个新机器出现在Mi 10系列。
@数码闲聊站宣布了将由小米和Redmi发行的许多手机,其中大部分已经被公开,只有神秘的新小米Mi 10才是第一个被公开的手机。关于这部手机,博客没有信息可披露。
网民推测新的Mi 10机器的型号可以是“ Mi 10S”。根据分析,新的小米Mi 10机器可能配备了Snapdragon 870处理器。
Snapdragon 870是高通公司新推出的子旗舰处理器,实际上是Snapdragon 865的超频版本,最大时钟速度为3.2 GHz,CPU功耗保持稳定。先前公开的信息显示,Snapdragon 870GPU的频率为670MHz,与Snapdragon 865+一致。
这次@数码闲聊站表示Snapdragon 870GPU的最高频率已超频至905MHz,整体性能类似于Black Shark 3Pro Snapdragon 865的官方超频版本。搭载Snapdragon 865的意义在于Snapdragon 888经历了功耗以及不稳定的CPU和GPU性能。
因此,骁龙870将在2021年成为主流的中高端手机处理器之一。尽管小米Mi 11系列的销量不错,在21天内超过了100万,但确实存在处理器翻转的问题。
。可能是出于这种考虑,小米决定推出配备Snapdragon 870的新小米10。
现在的问题在于新Mi 10机器的配置和价格。预计它将配备55W二次充电,50W无线充电,120Hz1080P屏幕,1.08亿像素主摄像头等配置,与小米11的差距不大。
升级,但升级并不高,因为小米11Pro和11Pro +也即将推出,这不会影响小米11系列的定位和销售。至于价格,小米集团副总裁常成最近表示,由于小米11的生产能力不足,又生产了另一批小米10,价格降低了400,而起价为仅3399元就可以满足米粉的需求。
现在看来,Mi 10的降价可能会为新机器让路。据推测,新的Mi 10机器的价格可能在3599元左右开始,这不会影响Mi 11的位置。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: tao@jepsun.com
产品经理: 陆经理
QQ: 2065372476
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
- 4平方毫米铜芯线每米电阻约为0.00431欧姆 在电气工程领域中,了解电线的电阻对于设计和安装安全有效的电路至关重要。以常见的4平方毫米铜芯线为例,其电阻值是衡量该类型电线性能的重要指标之一。根据铜的标准电阻率,在20°C时,纯铜的电阻率为0.01724 Ω·mm²/m,...
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- viking新品播报:长端接厚膜电阻器- CRW ..A 系列 关注稳健设计,为 PCB 散热提供更短的路径,提高额定功率,宽电极结构支持良好的热循环性能。调整焊膏的成分以提供所需的近似电阻,并通过激光微调器将其微调至指定值。特征- 长边端接增强了紧凑尺寸的额定功率- AEC-Q200 ...
- 五向开关DC12(V)0.05(A):应用与技术参数 五向开关DC12(V)0.05(A)是一种电子元件,它在电路设计和设备控制中发挥着重要作用。这种开关通常用于需要控制多个方向或功能的应用场景,例如遥控器、游戏控制器或是小型电子设备的导航按钮等。五向开关能够提供上、...
- ABB塑壳断路器(S系列.T系列): 高效可靠的配电解决方案 ABB塑壳断路器以其卓越的性能和可靠性在电气行业中享有盛誉。S系列和T系列作为ABB断路器中的佼佼者,分别针对不同的应用领域提供了高效且灵活的解决方案。S系列塑壳断路器设计紧凑、功能全面,适用于各种工业及商业环境...
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- 电阻精密度1%能代0.1%吗? 不能!其实,对于不是搞计量的不需要分的那么清楚,可以大体上认为高精密、高准确、低误差等是一个意思。但是,对于“精度”一词,可以分解成分解成三个要素: 1 、温度系数:温度变化是电阻的大敌,温度系数一...
- 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
- 厚膜电阻器CR.A系列参数与应用详解 在电子工程领域,厚膜电阻器因其稳定性高、温度系数小等优点而被广泛使用。CR.A系列作为其中的一种,凭借其优异的性能,在众多应用场景中展现出色的表现。下面将详细介绍CR.A系列厚膜电阻器的主要参数及其应用。### 1. 主...
- 浪涌电阻器SWR.A系列应用与特性详解 浪涌电阻器(SWR.A系列)是电力系统中不可或缺的一部分,主要用于抑制和吸收电网中的瞬时电压冲击,保护电力设备免受损害。这一系列的电阻器在设计上具有诸多优势,适用于多种应用场景,从工业生产到可再生能源发电站,...
- 高压电阻器HVR.A系列参数与应用详解 高压电阻器在许多工业和科研领域中扮演着重要角色,特别是在需要高稳定性和高精度的应用场合。HVR.A系列高压电阻器以其卓越的性能和广泛的应用范围而受到众多工程师和技术人员的青睐。下面将详细介绍HVR.A系列高压电阻器...
- 探讨变压器次级电阻为0的情况及其影响 在理想化的理论模型中,变压器的次级电阻被视为0,这有助于简化分析过程并突出变压器的主要功能——即电压变换。然而,在实际应用中,次级绕组总是具有一定的电阻,这一电阻会导致能量损失,表现为热能散发。当讨论次...
- 解读“473”电容标记:它是0.047 μF 通常在电子元件的参数讨论中,提到“473”这样的数字时,它往往采用的是一个简化的标注方法。在电容的标识中,“473”代表的并不是直接的微法(μF)值,而是通过特定的编码规则来表示电容的容量。具体来说,“473”这种...
- 薄膜精密电阻器AR.A系列参数及应用领域 薄膜精密电阻器AR.A系列是电子工程中非常重要的元件之一,广泛应用于各种高精度测量和控制设备中。这些电阻器以其卓越的性能和稳定性著称,能够满足各种复杂环境下的使用需求。AR.A系列薄膜精密电阻器具有极低的温度系...
- 施耐德LC1-D系列交流接触器:可靠性能与优质服务 施耐德电气作为全球能效管理和自动化领域的专家,在电气领域有着卓越的表现。其产品线中的LC1-D系列交流接触器是工业控制领域中不可或缺的一部分。其中,LC1-D25型号接触器以其高质量和可靠性能著称,适用于多种工业场景...
- N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
- K8.0系列单开:简约设计与实用功能的完美结合 墙壁开关插座作为日常生活中不可或缺的一部分,其设计与功能直接影响到我们的居住体验。以K8.0系列单开为例,这款产品不仅在外观设计上追求简约而不失时尚感,还注重实用性和耐用性。该系列采用优质PC材料制成,具有良...