作为芯片行业的巨头，高通的Snapdragon系列芯片都是由高通设计的，但是它们由台积电和三星的代工厂生产多年。
此前，三星负责生产14纳米的Snapdragon 820和10纳米的Snapdragon 835和Snapdragon 845。
台积电（TSMC）生产7纳米Snapdragon 855，然后高通选择三星生产7纳米Snapdragon 865和今年的5纳米Snapdragon 888。
据国外媒体报道，高通的下一代5G芯片暂时称为Snapdragon 895，并将再次由三星代工厂使用5nm工艺制造。
但是，高通公司应在2022年与台积电合作，使用台积电的4纳米工艺制造新芯片。
台积电的Chaorman表示，预计该晶圆代工厂将在2022年生产3nm芯片。
高通公司可能会在明年让台积电为其生产4nm Snapdragon芯片。
据报道，3nm工艺节点正在按计划进行，预计将于明年开始生产。
与目前最先进的5nm工艺相比，预计3nm芯片的速度提高11％，功耗降低27％。
这位高管认为，由于使用了极紫外（EUV）光刻技术，台积电可以缩短周期。
EUV可以在晶圆上创建非常薄的图案，以定位芯片上使用的组件。
