作为芯片行业的巨头,高通的Snapdragon系列芯片都是由高通设计的,但是它们由台积电和三星的代工厂生产多年。此前,三星负责生产14纳米的Snapdragon 820和10纳米的Snapdragon 835和Snapdragon 845。
台积电(TSMC)生产7纳米Snapdragon 855,然后高通选择三星生产7纳米Snapdragon 865和今年的5纳米Snapdragon 888。据国外媒体报道,高通的下一代5G芯片暂时称为Snapdragon 895,并将再次由三星代工厂使用5nm工艺制造。
但是,高通公司应在2022年与台积电合作,使用台积电的4纳米工艺制造新芯片。台积电的Chaorman表示,预计该晶圆代工厂将在2022年生产3nm芯片。
高通公司可能会在明年让台积电为其生产4nm Snapdragon芯片。据报道,3nm工艺节点正在按计划进行,预计将于明年开始生产。
与目前最先进的5nm工艺相比,预计3nm芯片的速度提高11%,功耗降低27%。这位高管认为,由于使用了极紫外(EUV)光刻技术,台积电可以缩短周期。
EUV可以在晶圆上创建非常薄的图案,以定位芯片上使用的组件。
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