三星半导体发布新一代高性能固态硬盘PM9A3 U.2

今年4月,三星半导体将为中国数据中心客户PM9A3U提供新一代高性能固态硬盘。 2. PM9A3U。
2支持PCIe4.0,这是三星半导体专门为中国数据中心客户构建的。此举表明三星半导体决心进一步加强与中国公司的合作。
三星半导体发布了为中国数据中心客户打造的新型高性能固态硬盘PM9A3U。 2支持PCIe4.0,这是三星半导体专门为中国数据中心客户构建的。
此举表明三星半导体决心进一步加强与中国公司的合作。 PM9A3U。
2使用三星基于NVMe协议的第六代3D闪存(V-NAND)技术,它完全符合开放计算项目(OCP)NVMe云固态驱动器规范,并可以满足数据中心的性能,能效,可靠性和安全性。提供有关性别的高级解决方案。
值得一提的是,在当前批量生产的数据中心级固态驱动器产品中,PM9A3U。 2实现更高水平的随机写入性能,可以满足中国客户的需求。
较低的能耗有利于节省数据中心的运营成本,并有助于减少碳排放。 PM9A3U。
2配备了支持PCIe4.0技术和三星第六代3D闪存(V-NAND)技术的新控制器,并通过固件优化实现了200KIOPS的稳态随机写入性能。可与上一代产品PM983U媲美。
2增加了4倍。对于在中国经营数据中心的技术公司而言,随机写入速度尤为重要。
我相信PM9A3U。 2出色的性能,可以很好地满足这些客户的需求。
另外,PM9A3U。 2的4K稳态随机读取性能为1100KIOPS,顺序读取速度为6900MB / s,相对于上一代产品PM983U。
2分别提高了2.2倍和2.16倍;并且,在每瓦304MB / s的顺序写入性能方面,与上一代产品相比,能效比提高了61%。三星半导体存储市场部总经理郑广先生(音译)说:“ PM9A3U.2是三星首款采用第六代3D闪存(V-NAND)技术并支持PCIe的NVMe固态驱动器产品。
4.0,与中国数据中心客户兼容。对于操作所需的特定性能和电源配置,我们期待它成为适合中国数据中心客户的出色解决方案。
”由PM9A3U量产。 2月初,三星半导体将继续加强与全球数据中心客户的合作,并继续促进新一代存储技术的开发和标准化,以满足完全开放的5G时代和不断变化的生活方式。
性能和功耗数据基于三星公司的内部测量结果,并满足以下条件:1)性能随机性能测试工具使用FIO 2.1.3。操作系统为LinuxRHEL6.6(内核3.14.29),数据块大小为4KB(4,096字节),队列深度为32,并具有4个测试线程;顺序性能块大小为128KB(131072字节),队列深度为32,1个测试线程。
实际性能可能会因使用条件和环境而异。 2)功耗功耗是通过SSD上连接器插头的12V电源引脚测得的。
有功功率消耗和空闲功率消耗被定义为最高的平均功率,即在100毫秒的持续时间内的最大RMS平均值。假设有功功耗的测量条件是100%顺序读取和写入。
注意:SSD:固态驱动器,RMS:均方根,NVMe:非易失性存储器,IOPS:每秒读写时间,MB / s:每秒百万字节PCIe:高速串行计算机扩展总线标准

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: ys@jepsun.com

产品经理: 汤经理

QQ: 2057469664

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • 半导体放电管的主要功能是什么? 半导体放电管的主要功能是在电路中作为高功率电子器件的开关,以保护电路免受高能量浪涌电流的影响。当浪涌电流通过半导体放电管时,它会在纳秒级别内将其转换为低电平,从而保护电路中的敏感元件,如电容、电感和晶...
  • ST45-M智能控制器:高性能与灵活性的完美结合 ST45-M智能控制器是由一家专注于自动化控制技术的公司研发生产的一款高性能设备。该控制器集成了先进的微处理器和数字化信号处理技术,适用于多种工业环境下的自动化控制需求。它能够实现精准的数据采集与处理,支持多...
  • 为什么半导体放电管在高压下工作? 半导体放电管在高压下工作是因为它们可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电。 当电路中出现异常过电压时,半导体放电管快速导通泄放由异常过电压导致的异常...
  • 三星贴片电容供应商新报价 三星贴片电容 多层陶瓷片式电容器(MLCC, Multi-Layer Ceramic Capacitors)是在电路上暂时充电并消除Noise的最常见电容器。 其本体采用介电质层和由镍组成的内电极层相互交叉的结构。¥0.20大尺寸铝电解电容 贴片聚合物导电聚合物三和电...
  • 气压开关三P-10:功能、应用及重要性 在细致探讨气压开关三P-10的功能与应用之前,我们先来了解其基本构造。气压开关三P-10是一种精密设备,主要用于监控和控制气压系统中的压力变化。这种开关的设计目的是为了确保机械设备的安全运行,通过检测压力的变化来...
  • 半导体放电管的极性是怎样的? 半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。 其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。半导体放电管的极性是由PN结的结构决定...
  • 什么是半导体放电管? 半导体放电管是一种半导体器件,可以在电路中用作高功率电子器件的开关。它们也被称为瞬态电压抑制器或浪涌保护器,因为它们可以在电路中承受高能量的浪涌电流,并在毫秒级别内将其转换为低电平,从而保护电路免受损...
  • 半导体放电管有哪些优点? 半导体放电管具有以下优点:快速响应时间: 半导体放电管可以在纳秒级别或更短的时间内响应浪涌电流,从而可以保护敏感电子设备免受损坏。高浪涌电流承载能力: 半导体放电管可以承受高达数百安培的浪涌电流,这使得它们...
  • 半导体放电管有哪些类型? 半导体放电管有多种类型,其中包括:瞬态电压抑制器 (TVS): 这是最常见的半导体放电管,可以在高达数百万伏的电压下工作,并且能够承受数百安培的电流。压敏电阻: 这种类型的放电管可以在较低的电压下工作,通常在数百伏...
  • 如何正确使用半导体放电管? 使用半导体放电管时,应注意其工作电压、电流和通流容量等参数,并确保其安全工作。此外,还应注意防止其受潮、磕碰等情况,以免影响其性能。在使用过程中,应定期检查半导体放电管的工作状态,以确保其可靠性和稳定...
  • 光照对半导体电阻率的影响 电阻率是半导体的重要参数之一。半导体材料的电阻率范围介于金属和绝缘体之间,其特性和性能受到多种因素的影响。温度、掺杂浓度、结构和晶粒尺寸以及负载效应都对半导体的电阻率有显著影响。半导体材料的电阻率特殊...
  • 半导体放电管的缺点是什么? 半导体放电管的缺点是其击穿电压受温度、工作电压和电流的影响较大,且电容较大,因此可能会导致系统的稳定性和可靠性下降。此外,半导体放电管的价格也比其他类型的保护器件如气体放电管和TVS管要贵。...
  • 半导体放电管的工作原理是什么? 半导体放电管的工作原理基于非线性电子器件的特性,其主要过程可以分为两个阶段。第一阶段是浪涌电流的产生。这可能是由于感应、电磁辐射或雷击等原因引起的。当浪涌电流通过半导体放电管时,它会在纳秒级别内产生一...
  • 思开半导体TOLL产品应用案例分享 喜讯!喜讯!思开半导体(SKYSEMI)半年时间内,给客户的送样次数就已超过1500次以上,这也侧面说明了每天都有来自全国各地的客户不断地向我司申请样品,日平均申请次数可达7-8次以上。图:截止2023年6月30号,思开半导体半...
  • 半导体放电管的响应时间是多少? 半导体放电管的响应时间是指从浪涌电流开始到半导体放电管产生响应并将浪涌电流转换为低电平的时间。半导体放电管的响应时间取决于其类型、电流承载能力和浪涌电流的峰值等因素。通常来说,N沟道的半导体放电管具有较...
  • PH3-M瞬态抑制二极管插件TVS管 聚鼎产品特性与应用 关于聚鼎PH3-M瞬态抑制二极管插件TVS管,这是一种高效能的保护器件,广泛应用于各种电子设备中,以防止静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)以及雷击等引起的电压瞬变对电路造成损害。PH3-M系列具有低箝位电压、高能量吸收...
  • 电阻式金属氧化物半导体气敏元件 SnO2和ZnO是电阻型金属氧化物半导体传感器气敏材料的典型代表。它们既有吸附作用又有催化作用,属于表面控制型。然而,这些半导体传感器的工作温度很高,约为200~500℃。...
  • 在什么情况下需要使用半导体放电管? 半导体放电管适用于需要快速响应、高可靠性和高浪涌吸收能力的场景,例如在网络通讯、电源保护、信号保护等方面。它可以用于防止电压过高、电流过大等情况,保护电路和设备免受损坏。...
  • 半导体放电管在低压下工作时有什么特点? 半导体放电管在低压下工作时,其击穿电压的范围构成了过压保护的范围。 一般来说,半导体放电管的箝位电压是在几伏到几十伏之间。...
  • 半导体放电管的电流容量是多少? 半导体放电管的电流容量是指其最大瞬间峰值电流IPP,它必须大于通讯设备标准的规定值。 半导体放电管的击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。...