CentOS的共同创始人Gregory Kurtzer创立了初创公司CtrlIQRockyLinux,它是由Red Hat宣布放弃CentOSLinux来继承CentOS之后由Kurtzer创建的。 “岩石”这是Kurtzer对RockyMcGaugh的纪念,RockyMcGaugh曾经是CentOS的共同创始人。
RockyLinux受到了社区的积极响应,但是创建和维护Linux发行版,尤其是像CentOS这样具有很大用户级别的发行版,需要花费大量精力和金钱。由于RockyLinux的目标是成为CentOS的完全替代者并吸引所有CentOS用户,因此,如果没有足够的资金来源,则实现该目标的可能性基本上为零。
因此,Kurtzer建立了CtrlIQ来赞助RockyLinux,就像RedHat赞助CentOS一样。尽管RockyLinux和CtrlIQ的创始人是Kurtzer,但是这种关系似乎更加微妙,但是Kurtzer向媒体表明CtrlIQ只是RockyLinux的赞助商,而不是母公司。
他将确保CtrlIQ和Rocky之间的独立性,以确保RockyLinux不受CtrlIQ或任何其他赞助者的控制。 CtrlIQ发言人还确认,RockyLinux是并且将继续是社区主导的版本,并且CtrlIQ仅提供初始资金,例如律师费和部分费用。
CtrlIQ在其官方网站上的自我描述是-“ CtrlIQ提供了完整的技术堆栈,可以实现多云,多站点工作流和数据的智能,安全和高性能编排。” CtrlIQ提供了完整的技术堆栈,可实现多云,多站点工作流和数据的智能,安全和高性能的编排。
其主要业务是为高性能计算(HPC)工作负载提供一站式基础架构解决方案,并跨多个站点或多云提供商提供支持。 RockyLinux将作为解决方案的技术堆栈之一安装在裸机或容器中。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: ys@jepsun.com
产品经理: 汤经理
QQ: 2057469664
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- 欧璐O-墙壁开关:简约设计与实用功能的完美结合 欧璐O-墙壁开关是一款结合了实用性和设计感的产品,特别适合现代家居使用。这款开关设计为一开多三孔单的设计模式,意味着一个开关可以控制多个电器的电源,不仅节省了安装空间,还极大地提升了使用的便捷性。其外观简...
- 现货SMC压力开关ISE30A-01-N-L: 高性能与可靠性的结合 现货供应的SMC压力开关ISE30A-01-N-L是一种高性能的自动化控制元件,广泛应用于各种工业领域。这款压力开关具备精确的压力检测功能,能够在系统压力达到预设值时迅速做出反应,从而实现对机械设备的有效控制。ISE30A-01-N-L型号...
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
- 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
- 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
- 如何选择合适的聚鼎PXXXX T/S电感与TSS管搭配方案 基于应用场景的TSS管与聚鼎电感选型策略在实际工程设计中,合理匹配TSS管与聚鼎PXXXX系列电感是保障系统可靠性的关键。以下是根据不同应用场景的推荐搭配方案。1. 高频开关电源系统推荐配置:选用聚鼎PXXXX-T型电感 + 高速响...
- 什么是X电容和Y电容 安规X电容X电容器连接在电源线的两条线之间,即“L-N”之间。X电容器可以抑制差模干扰。通常使用金属化薄膜电容器,电容为uF。X电容器大多是方形的,类似于盒子的形状。其表面通常标有安全认证标志、耐压字样(一般为AC3...
- X电容和Y电容的应用 X电容① 电磁干扰抑制抗电磁干扰是X电容器最常见的功能。通常,零线和带电线之间桥接两个引脚,适用于高频、直流、交流和耦合。在跳线脉冲电路中,它能承受过压冲击。它通常与放电电荷电阻并联使用;如下所示:① 电阻...
- 深入解析:如何根据系统需求选择合适的N MOSFET?40-300V vs 0-40V 为什么不同耐压范围的N MOSFET适用于不同领域?在现代电子系统中,正确选型N MOSFET是保障系统稳定性与效率的关键。本文以40-300V与0-40V两个典型范围为例,深入剖析其技术差异与选型逻辑。1. 工作电压决定耐压选型系统输入电压...
- 如何选择适合的器件?深入理解DIOFET与N MOSFET的Rds(on)关键指标 评估导通电阻Rds(on):决定功率器件选型的核心因素在设计高效电源系统时,正确评估和选择具备合适导通电阻(Rds(on))的功率器件至关重要。本篇文章将围绕DIOFET与传统N MOSFET的Rds(on)特性展开分析,帮助工程师在实际项目中做出...
- S.J.X自动压力开关隔膜泵:高效稳定的流体传输解决方案 S.J.X自动压力开关隔膜泵是一种高效、耐用的流体传输设备,广泛应用于化工、制药、食品加工等行业。该泵采用先进的自动压力开关技术,能够根据系统的压力变化自动调节运行状态,有效防止过压或欠压情况的发生,从而保护...
- 如何选择符合GB/T 10228标准的功率电阻?以TR20 TO-220 20W为例 基于标准选型:从性能到合规性全面考量在现代电力电子系统设计中,选择一款既满足性能需求又符合国家标准的功率电阻至关重要。以TR20 TO-220 20W为例,可从以下几个维度进行科学选型。1. 功率与散热匹配TR20标称20W功率,但在...
- 如何选择合适的积层压敏电阻?以JMV-S系列为例解析选型要点 积层压敏电阻选型指南:聚焦JMV-S系列在现代电子系统中,正确选择压敏电阻对保障电路稳定性和安全性至关重要。本文以JMV-S积层压敏电阻为例,深入剖析选型过程中应关注的关键因素。一、关键选型参数解析1. 额定电压(Vnom)...
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- TSS管与聚鼎PXXXX T/S电感的性能对比及应用解析 TSS管与聚鼎PXXXX T/S电感的核心技术优势在现代电子设备中,TSS管(Transient Suppressor Semiconductor)与聚鼎品牌PXXXX系列电感(包括T型与S型)因其卓越的瞬态抑制能力和高可靠性,广泛应用于电源管理、通信设备和工业控制领域。以下...
- 40-300V N沟道MOSFET选型指南 在电子设计中,选择合适的功率MOSFET对于确保电路的高效和稳定运行至关重要。40-300V电压范围内的N沟道MOSFET是许多电源转换、电机控制和其他电力应用中的关键组件。本文将探讨如何根据不同的应用场景选择适合的MOSFET,包括...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- N沟道MOS管工作原理及应用 N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常见的场效应晶体管,其工作基于电场效应来控制电流。这种类型的晶体管在现代电子设备中有着广泛的应用,从消费电子产品到工业控制系统,乃至最新的计算机芯片技...
- 聚鼎PXXXX T与S电感对比:性能差异与工程选型策略 聚鼎PXXXX T vs S电感:全面性能对比与工程实践指南面对日益复杂的电子系统设计需求,如何在“聚鼎PXXXX T”与“聚鼎PXXXX S”两款电感之间做出最优选择?本文从结构、性能、适用场景三个维度展开深度对比,并提供实用的工程选...