瞬态抑制二极管

反向断态电压(VR)对于单向瞬态抑制二极管,这是在没有大电流的情况下可以在阻塞方向上使用的最大峰值电压。

对于双向瞬变,它适应任一方向。

其含义与最大断态电压和最高工作电压相同。

击穿电压(VBR)在指定的直流测试电流下测量的击穿电压,通常为1 mA。

通常说明最大值和最小值。

峰值脉冲电流(IPP)可重复施加的最大脉冲电流。

如果说明,它通常可以是10x1000μs的双指数波形或8x20μs。

最大钳位电压(VC或VCI)当存在最大峰值脉冲电流时,可以从保护器测量的最大电压。

峰值脉冲功率(PPP)以瓦特或千瓦表示,1ms指数瞬态值是IPP和VCL的乘积。



(1)瞬态抑制二极管额定反向关断VWM应大于或等于受保护电路的最大工作电压。

如果所选择的VWM太低,则器件可能会进入雪崩或反向漏电流将影响电路的正常工作。

串联连接被分成电压,并且电流被并行分开。

(2)确定受保护电路的最大直流或连续工作电压,电路的额定标准电压,以及“高端”电压。

公差。

(3)瞬态抑制二极管的最大钳位电压VC应小于受保护电路的损坏电压。

(4)瞬态抑制二极管的最大峰值脉冲功耗PM必须大于在指定脉冲持续时间内受保护电路中可能出现的峰值脉冲功率。

在确定最大钳位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。

(5)温度考虑。

瞬态电压抑制器可在-55°C至+ 150°C的温度范围内工作。

如果要求TVS在变化的温度下工作,其反向漏电流ID会随着增加而增加;功耗随着TVS结温的升高而降低,从+ 25°C升至+ 175°C,近似线性下降50%。

随着温度的升高,电压VBR随某一因素增加。

因此,有必要参考相关的产品数据来考虑温度变化对其特性的影响。

(6)根据应用选择TVS的极性和封装结构。

将双极TVS用于交流电路更为合理;使用TVS阵列进行多线路保护更为有利。



目前广泛应用于通信设备,电子镇流器,AC / DC电源,汽车,家用电器,计算机系统,仪器仪表(仪表),I / O,数码相机保护,射频耦合/ IC驱动接收器保护,RS232 / 422/423/485,LAN,ADSL,USB,MP3,PDAS,CDMA,GSM,共模/差模保护,电机电磁干扰抑制,音频/视频输入,继电器,传感器/传输,工业控制各种环路和接触器噪声抑制等领域。

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ARF系列片式电阻器设计为低内部电抗。薄膜技术应用于电阻器是适当的,以减少寄生电感和电容。 低内部电抗允许这些器件在高频下保持非常好的电阻器行为。

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