高通公司发布了新的高端手机芯片Snapdragon 870

高通公司在5G芯片领域的实力对于市场上的所有人来说都是显而易见的。高通公司于2020年底推出了首款5nm旗舰5G芯片-骁龙888。
该性能芯片已被小米和iQOO选中,并相继推出了相应的骁龙888系列新旗舰手机,这些手机可在5G手机中使用。手机市场。
完全有竞争力。当然,这仅仅是Snapdragon 888的开始。
Android手机制造商,如OPPO,vivo,realme,魅族,Black Shark,ZTE,Nubia,Lenovo,Asus,LG,摩托罗拉,OnePlus和Sharp也已正式宣布,Will在2021年第一季度发布配备Snapdragon 888的旗舰机型。2021年,Android的头号手机Snapdragon 888取代了它。
毕竟,无论市场如何波动,Snapdragon 888的优势都在这里。手机制造商和消费者的认可是最好的证明。
毫无疑问,高通在Snapdragon 888世代的旗舰产品上都格外小心。首先,ARM第一个Cortex-X1超级内核的引入带来了显着的性能提升。
其次,在AI计算之后添加AI融合加速器的能力已经飙升至26万亿次; Snapdragon X605G基带首次集成在旗舰Qualcomm 5G芯片上,这是Snapdragon 888带来的世界上最快的5G商业速度。甚至Snapdragon 888在计算摄影技术上的新突破,以及对手机成像功能发展的重要影响,“高通也是成像技术公司”的消息也随之而来。
已成为“真正的锤子”。高通公司一直在强调,尽管芯片计算能力继续依法快速增长,但手机肯定会具有越来越多的功能,并且必须将更多功能集成到芯片组中以改善用户体验。
允许各种新体验实现手机的快速增长,因此用户不再需要使用多个独立终端,并且将无数功能集成在一起。这是真实的。
获得配备Snapdragon 888的Xiaomi Mi 11后,许多用户直观地感觉到,这不仅是一部手机,而且是具有1亿像素的专业相机,指纹支付仪和人工智能。万能的AI小管家,功能强大的游戏机,最后是“手机”。
具有出色的通话质量!尽管Snapdragon 888将于2021年出现在旗舰手机上,并已成为新一代5G旗舰的基准,但高通公司已在春节前推出了高端手机芯片Snapdragon 870。从名称可以看出,这是从Snapdragon 865Plus到Snapdragon 888的中间产品线,也可以视为Snapdragon 865Plus的升级版本。
Snapdragon 870使用增强的Qualcomm Kryo585CPU,其最高核心频率高达3.2GHz,旨在全面提高性能,从而带来更好的游戏体验。目前,联想已宣布将于1月26日首次亮相的摩托罗拉EdgeS将首次亮相Snapdragon870。
此外,OPPO,OnePlus,iQOO和小米都决心在2021年第一季度推出相应的产品。高通此时推出了诸如Snapdragon 870之类的高端芯片,除了采用5nm工艺的Snapdragon 888外,还为5G市场提供了高端选项,以更好地涵盖各种价格段并丰富Android。
5G市场。手机产品的顺序为5G手机用户提供了更多选择。
在5G芯片领域,高通一直占据着市场份额的第一位。高通公司2020财年第四季度收入显示:高通公司在全球5G芯片市场中占有最大的市场份额,在全球销售的所有5G手机中,有39%使用高通芯片。
高通公司不生产手机,而是向手机制造商提供其设计的芯片。因此,对于高通公司而言,每个市场份额都来自其合作伙伴的实力。
世界十大手机制造商中有七家是中国手机制造商,这些制造商都是高通公司的合作伙伴。随着新一代Qualcomm Snapdragon 888旗舰芯片的发布以及细分产品系列的高端选择Snapdragon 870的到来,未来,更多的5G手机终端将出现在我们的视野中,而5G移动手机市场将变得更加丰富。
作为普通消费者,我们将有更多机会购买价格更低,性能更高的高性价比5G手机。 q。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: tao@jepsun.com

产品经理: 陆经理

QQ: 2065372476

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • 意大利SIRAI A225-7/N液位开关:高性能与可靠性的典范 意大利SIRAI生产的液位开关是一种高质量的工业设备,被广泛应用于各种液体的检测与控制。其中,型号为A225-7/N的液位开关尤其受到用户的青睐。这款液位开关以其卓越的性能和可靠性著称,在工业自动化领域扮演着重要角色。...
  • 如何正确选型与维护高压电阻器HVR..A系列及CR..A系列耐高温电阻 如何正确选型与维护高压电阻器HVR..A系列及CR..A系列耐高温电阻随着工业自动化与高端电子设备的发展,高压与高温环境下的电阻器选型与维护成为保障系统可靠性的关键环节。本文将系统阐述如何科学选型,并提供实用的维护策...
  • 如何根据实际需求选择合适的电阻阵列:CN..A、SWR..A与CRW..A系列深度指南 前言:电阻阵列在现代电子设计中的重要性随着电子产品向小型化、高性能和高可靠性方向发展,传统单个电阻已难以满足复杂电路的设计需求。电阻阵列作为一种集成化解决方案,不仅节省了PCB空间,还提升了装配效率与一致...
  • 高压电阻器HVR..A系列与CR..A系列耐高温电阻的性能对比与应用解析 高压电阻器HVR..A系列与CR..A系列耐高温电阻的性能对比与应用解析在现代电子系统中,高压和高温环境下的稳定运行对元器件提出了极高要求。高压电阻器HVR..A系列与CR..A系列耐高温电阻正是为应对这些严苛工况而设计的高性能元...
  • 汽车级宽端子贴片电阻CRW..A系列:高可靠性与耐久性的完美结合 汽车级宽端子贴片电阻CRW..A系列概述在现代汽车电子系统日益复杂化的背景下,元器件的可靠性、稳定性与耐环境能力成为设计关键。汽车级宽端子贴片电阻CRW..A系列正是为满足这些严苛要求而设计的高性能产品。该系列产品采...
  • 如何根据应用场景选择合适的耐脉冲电阻?PWR..A、SWR..A与CRW..A系列选型指南 基于应用场景的耐脉冲电阻选型策略面对PWR..A、SWR..A和CRW..A三大系列,正确选择不仅影响设备性能,还直接关系到系统安全与维护成本。以下从实际应用出发,提供科学选型建议。1. 高压/高能环境:优先选用PWR..A系列当设备部署...
  • viking新品播报:长端接厚膜电阻器- CRW ..A 系列 关注稳健设计,为 PCB 散热提供更短的路径,提高额定功率,宽电极结构支持良好的热循环性能。调整焊膏的成分以提供所需的近似电阻,并通过激光微调器将其微调至指定值。特征- 长边端接增强了紧凑尺寸的额定功率- AEC-Q200 ...
  • 耐脉冲电阻PWR..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的性能对比分析 耐脉冲电阻PWR..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的核心区别解析在工业自动化、电力系统及高可靠性电子设备中,耐脉冲电阻因其出色的抗冲击能力而备受青睐。其中,PWR..A系列、SWR..A系列和CRW..A系列是市场上常见的三大类耐脉冲电...
  • 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
  • 深入解析电阻阵列CN..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的核心差异 引言在电子元器件领域,电阻阵列因其高集成度、稳定性和空间节省优势,广泛应用于精密电路、工业控制及通信设备中。其中,CN..A系列、SWR..A系列和CRW..A系列是市场上常见的三种电阻阵列型号。尽管它们均属于电阻阵列类别,...
  • P沟道与N沟道MOS管在31V至99V高压应用中的性能对比分析 引言在现代电力电子系统中,尤其是高压开关电源、工业控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域,31V至99V范围内的MOS管选型至关重要。其中,P沟道与N沟道MOS管因其不同的工作原理和特性,在该电压区间内各有优势与适用...
  • N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
  • 汽车级宽端子贴片电阻CRW..A系列详解 在当今汽车电子技术迅速发展的背景下,汽车级宽端子贴片电阻(CRW..A系列)成为了众多工程师和设计师关注的焦点。这类电阻以其卓越的性能、可靠性和适应性,在汽车电子系统中扮演着不可或缺的角色。下面将详细介绍CRW.....
  • N沟道MOS管8V至29V低压高效解决方案:节能与紧凑设计新趋势 N沟道MOS管8V至29V:低压高效率的理想之选随着便携式设备、物联网传感器和低功耗嵌入式系统的快速发展,8V至29V范围的N沟道MOS管凭借其低电压适配性、高效率和小尺寸封装,正成为新一代电源管理方案的核心元件。1. 适配主流...
  • N+P互补对MOS管的设计优化与挑战分析 设计中的关键参数考量在实际电路设计中,N+P互补对MOS管的性能不仅取决于其基本结构,还受到多种因素影响。以下为关键设计要素:1. 尺寸匹配(宽长比优化)为了实现对称的传输特性,需合理设置NMOS与PMOS的宽长比(W/L)。通...
  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...