一个可以支持125个CPU! NVIDIA发布新的处理器DPU

几天前,NVIDIA在GTC 2020主题演讲中发布了一种新型处理器-BlueField DPU系列(数据处理单元,数据处理单元)。继CPU和GPU之后,NVIDIA相信DPU将为数据中心带来突破性的网络,存储和安全性能。
DPU由新的DOCA(数据中心,基础架构,单芯片架构)体系结构,新的数据中心IOC(芯片上的基础架构)体系结构支持,可实现突破性的网络,存储和安全性能。 NVIDIA创始人兼首席执行官黄仁勋透露了未来三年NVIDIA DPU的发展路线图。
其中包括新的NVIDIA BlueField -2系列DPU和NVIDIA DOCA软件开发套件,可用于在DPU加速的数据中心基础架构服务上构建应用程序。黄仁勋说:“数据中心已经成为一种新型的计算单元。
在现代化且安全的加速数据中心中,DPU已成为其中的重要组成部分。 CPU,GPU和DPU的组合可以形成一个完全可编程的单个AI计算单元。
提供前所未有的安全性和计算能力。”据报道,经过优化的BlueField-2 DPU可以减轻CPU的关键网络,存储和安全任务的负担,使企业能够将其IT基础架构转变为最先进的数据中心。
这样的数据中心可以实现加速,具有完全的可编程性,并且具有“零信任”。安全功能,可防止数据泄漏和网络攻击。
单个BlueField-2 DPU可以提供相当于消耗125个CPU内核的数据中心服务。这释放了宝贵的CPU内核来运行其他各种企业应用程序。
据报道,全球领先的服务器制造商计划将NVIDIA DPU集成到他们的企业服务器产品中,包括华硕,Atos,戴尔技术,富士通,技嘉,New H3C,浪潮,联想,Yunda Technology和Supermicro。据了解,NVIDIA当前的DPU系列包括两个PCIe产品:BlueField-2 DPU集成了NVIDIA Mellanox ConnectX-6 Dx智能网卡,并结合了Arm内核,以实现完全可编程,提供200Gb / s的数据传输速率,并加速Critical数据中心安全,网络和存储任务,包括隔离,信任根,密钥管理,RDMA / RoCE,GPU Direct,弹性块存储,数据压缩等。
BlueField-2X DPU具有BlueField-2 DPU的所有关键功能。此外,可应用于数据中心安全性,网络和存储任务的NVIDIA Ampere GPU的AI功能正在不断增强这些关键功能。
BlueField-2X DPU基于NVIDIA第三代Tensor Core内核,可以使用AI进行实时安全分析,包括识别异常流量提示以窃取秘密,线速加密流量分析,主机自检用于恶意活动,以及动态安全协调自动响应(SOAR)。据了解,BlueField-2 DPU目前可提供样品,并有望在2021年用于领先服务器制造商的新系统中。
BlueField-2XDPU正在开发中,预计将于2021年上市。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: tao@jepsun.com

产品经理: 陆经理

QQ: 2065372476

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • 现货SMC磁性开关D-90、D-A93 D-A73:高效可靠的自动化控制选择 现货供应的SMC磁性开关D-90、D-A93和D-A73型号是工业自动化领域中不可或缺的传感设备。这些开关主要用于检测气缸活塞的位置,通过内置的磁感应元件来实现非接触式的信号传输。它们在设计上具备小巧紧凑的特点,能够轻松安装...
  • 当两个电阻器的两个端子分别连接到另一个电阻器或多个电阻器的每个端子时,称并联电阻 与以前的串联电阻器电路不同,在并联电阻器网络中,电路电流可采用多条路径,因为电流有多条路径。然后,将并联电路分类为电流分配器。由于有多个路径供电源电流流过,因此通过并行网络中所有分支的电流可能不相同。...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
  • 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
  • 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
  • N+P互补对MOS管的设计优化与挑战分析 设计中的关键参数考量在实际电路设计中,N+P互补对MOS管的性能不仅取决于其基本结构,还受到多种因素影响。以下为关键设计要素:1. 尺寸匹配(宽长比优化)为了实现对称的传输特性,需合理设置NMOS与PMOS的宽长比(W/L)。通...
  • 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
  • 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...
  • N+P互补对MOS管30V技术解析:结构、特性与应用优势 N+P互补对MOS管30V的基本原理在现代模拟与数字集成电路设计中,N+P互补对MOS管(即NMOS与PMOS构成的互补结构)是核心构建单元之一。其中,30V耐压等级的互补对MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件通过在...
  • 如何在8V~29V系统中正确设计P/N沟道MOS管驱动电路 引言:驱动电路的重要性在8V至29V的电力电子系统中,正确设计MOS管的栅极驱动电路是确保器件稳定、高效运行的关键环节。无论是P沟道还是N沟道器件,若驱动不当,可能导致导通不完全、开关速度慢甚至击穿损坏。核心设计原...
  • 深入解析N+P互补对MOS管在数字电路中的应用与优势 N+P互补对MOS管的基本原理在现代集成电路设计中,互补金属氧化物半导体(CMOS)技术是主流架构之一。其中,N+P互补对MOS管由一个NMOS(N型沟道MOSFET)和一个PMOS(P型沟道MOSFET)构成,二者协同工作以实现逻辑门功能。1. 工作机制...
  • N沟道MOS管与P沟道MOS管的核心差异解析:从工作原理到应用对比 引言N沟道MOS管(NMOS)和P沟道MOS管(PMOS)是现代电子电路中不可或缺的两种场效应晶体管,广泛应用于数字逻辑电路、电源管理、模拟开关等领域。尽管它们在结构上相似,但在工作原理、性能表现和应用场景上存在显著差异。...
  • N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与优势分析 引言在现代电子系统中,尤其是工业控制、汽车电子和高电压电源管理领域,8V至29V的宽电压范围供电需求日益增长。N+P互补对MOS管(即N沟道与P沟道MOSFET组成的互补结构)因其优异的开关性能和高可靠性,成为该电压区间内核心...
  • 施耐德LC1-D系列交流接触器:可靠性能与优质服务 施耐德电气作为全球能效管理和自动化领域的专家,在电气领域有着卓越的表现。其产品线中的LC1-D系列交流接触器是工业控制领域中不可或缺的一部分。其中,LC1-D25型号接触器以其高质量和可靠性能著称,适用于多种工业场景...
  • N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
  • 预设电阻就像一个小型版本的可变电阻器 预设就像一个小型版本的可变电阻器。它们可以轻松放置在 PCB 上,也可以在需要时进行调整。电阻值通常在螺丝刀的帮助下进行调整。它们经常用于具有可调警报频率音调或可调灵敏度电路的应用中。这些是上述设备中最便宜的...
  • P沟道MOS管与N沟道MOS管的核心差异解析:结构、工作原理与应用对比 P沟道MOS管与N沟道MOS管的基本概念MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是现代电子电路中不可或缺的元件,根据导电沟道类型不同,可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)以空穴为多数载流子,而N沟道MOS管(NMO...
  • 如何在8V–29V系统中优化选择N沟道与P沟道MOS管? 8V–29V系统中N沟道与P沟道MOS管选型策略指南在设计8V至29V的电源管理系统、电机控制器或智能开关电路时,正确选择N沟道或P沟道MOS管至关重要。以下从多个维度提供实用选型建议,帮助工程师实现最佳性能与成本平衡。1. 明确应...