美光宣布已开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM存储器芯片

美光今天宣布,已经开始批量生产基于1αnm工艺的DRAM存储芯片,这也是迄今为止最先进的DRAM工艺,可以显着提高容量密度,性能并降低功耗。

与CPU和GPU等新产品不同,DRAM存储器和NAND闪存的处理节点不使用清晰的数字,而是1x,1y,1z,1α等,其后者越先进,即1xnm越接近20nm, 1αnm接近10nm。

美光的1αnmDRAM工艺可应用于多种不同的存储芯片,尤其是最新旗舰手机的标准LPDDR5。

与1z工艺相比,它可以将容量密度提高多达40%,同时还将功耗降低15%。

它可以使5G手机具有更好的性能,更轻更薄的机身以及更长的电池寿命。

DDR4,LPDDR4甚至未来的DDR5也可以使用这项新技术,并支持各种应用程序,例如智能手机,笔记本电脑,台式机,服务器和嵌入式设备。

美光公司在台湾的工厂已经开始批量生产和发货1αnmDRAM存储芯片。

第一批是DDR4内存芯片,属于Crucial品牌。

它还正在试生产和评估LPDDR4,并且将来将在更多的存储器类型中使用。

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