美光宣布已开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM存储器芯片

美光今天宣布，已经开始批量生产基于1αnm工艺的DRAM存储芯片，这也是迄今为止最先进的DRAM工艺，可以显着提高容量密度，性能并降低功耗。与CPU和GPU等新产品不同，DRAM存储器和NAND闪存的处理节点不使用清晰的数字，而是1x，1y，1z，1α等，其后者越先进，即1xnm越接近20nm， 1αnm接近10nm。
美光的1αnmDRAM工艺可应用于多种不同的存储芯片，尤其是最新旗舰手机的标准LPDDR5。与1z工艺相比，它可以将容量密度提高多达40％，同时还将功耗降低15％。
它可以使5G手机具有更好的性能，更轻更薄的机身以及更长的电池寿命。 DDR4，LPDDR4甚至未来的DDR5也可以使用这项新技术，并支持各种应用程序，例如智能手机，笔记本电脑，台式机，服务器和嵌入式设备。
美光公司在台湾的工厂已经开始批量生产和发货1αnmDRAM存储芯片。第一批是DDR4内存芯片，属于Crucial品牌。
它还正在试生产和评估LPDDR4，并且将来将在更多的存储器类型中使用。