由于许多网民都为Mi 11手机配备了Snapdragon 888芯片，因此许多网民表示Mi 11存在轻微发热问题，一些知名评论家还指出，在玩游戏时，该手机比小米更温暖。很久。 10高。 Perming Technology认为问题可能出在三星的5纳米制程上。由主要标题为Geek Bay UP的视频上传，显示在播放“ Yuan Shen” 20分钟后，Mi 11的温度达到48°C，而Mi 10的温度为41°C。比较表明，Mi 11发高烧。在小米10中，此结果应该是Snapdragon 888芯片本身的原因。这次，Snapdragon 888芯片架构进行了重大升级。它使用X1超大型内核+三个A78内核+四个A55内核。 X1内核是ARM的新型高性能大内核。对于机器学习开发，ARM的消息表明X1的性能比A77高30％，并且其机器学习能力是A77的两倍。 X1超级核心的性能提升非常明显，但功耗也更高。这次，Snapdragon 888芯片由三星采用5纳米工艺生产。三星和台积电都已将5nm工艺投入生产。一般来说，在相同的程序下，台积电的表现会更好。早在2015年，三星就在14nmFinFET和TSMC上使用了16nmFinFET工艺。该工艺还生产了Apple的A9处理器。结果，台积电生产的A9处理器的功耗大大低于三星生产的A9处理器。此前，三星使用自己的5nm工艺发布了芯片Exynos1080。 Exynos1080使用四个A78内核。据ARM称，四核A78的性能应比四核A77的性能高约20％。但是，AnTuTu的跑步成绩显示为Exynos1080。麒麟9000的运行分数与麒麟9000的运行分数相似，后者使用四核A77内核。麒麟9000使用台积电的5纳米工艺。 Snapdragon 888使用X1内核，根据ARM的声明，性能可以提高30％。结果，Snapdragon 888仅比麒麟9000高9％。这似乎表明它受到三星5纳米工艺，具有A78内核的Exynos1080和具有X1内核的Snapdragon 888的限制，以控制功耗。并且无法响应以提高性能。此外，高通公司的上一代高端芯片Snapdragon 865plus是使用台积电的7nm工艺生产的，其性能比上一代Snapdragon 855高出30％。 Snapdragon 888仅比Snapdragon 865plus高出约19％，这似乎也证明了台积电。这个过程更好。当然，尽管Snapdragon 888的功耗性能并不理想，但仍然比当年的Snapdragon 810更好。不可能将Snapdragon 888与“ Fire Dragon”火柴进行比较。那年的Snapdragon 810事件。基于上述原因，可以证明由于三星的5nm工艺，Snapdragon 888的功耗性能并不令人满意。手机公司和高通公司随后对该芯片进行的优化可能会降低Snapdragon 888的时钟速度。通过降低性能来降低功耗。