中芯国际揭示重要信息：技术赶上英特尔

据《科学技术创新委员会日报》报道，中芯国际的第二代FinFET已进入小批量试生产。中芯国际在互动平台上表示，该公司的第一代FinFET 14纳米产量已在2019年的四个季节进行了测量;第二代FinFETN + 1已进入客户介绍阶段，预计将在2020年底前小批量试生产。
此外，中芯国际还重申，公司的运营和采购与往常一样。事实上，去年11月有消息称，中芯国际已经开始批量生产14nm FinFET工艺芯片，并计划在2019年底之前进行12nm FinFET的有风险的试生产。
当时，该公司的第一代FinFET已成功量产，并将在第四季度贡献可观的收入。第二代FinFET的研发工作稳步进行，客户介绍也进展顺利。
与14nm晶体管尺寸相比，进一步减少了12nm工艺，功耗降低了20％，性能提高了10％，错误率降低了20％。不久前，中芯国际还在互动平台上表示该公司目前运营正常，该公司已积极与美国有关政府部门进行沟通。
该公司的客户需求旺盛，订单已满，第三季度的产能利用率已接近满负荷。展望2020年全年，该公司的收入目标已上调至每年24％至26％的增长率。
年度毛利润目标高于去年。 END资料来源：核心新闻。
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