Arasan宣布可立即为台积电的22nm制程技术提供eMMC PHY IP

领先的移动和汽车SoC半导体IP供应商ArasanChipSystems今天宣布,用于台积电22nm制程技术的eMMCPHYIP将于2021年1月21日在加利福尼亚州圣何塞市公开发售。

IP产品,用于台积电22纳米制程SoC设计的eMMCPHYIP现已上市。

台积电22纳米工艺中的eMMCPHYIP可以与Arasan的eMMC5.1主控制器IP和软件无缝集成,从而为客户提供基于台积电22纳米工艺的完整eMMCIP解决方案。

现在,凭借其D-PHYv1.1IP @ 1.5ghz,D-PHYv1.2IP @ 2.5ghz,C-PHY / D-PHYCombo @ 2.5ghz和eMMCPHY,Arasan为台积电的22nm工艺产品组合提供了全面的IP。

除标准Tx / RxIP以外,所有MIPIPHY均可用作仅Tx或仅用作Rx。

与28nm高性能紧凑型(28HPC)技术相比,TSMC的22nm超低功耗(22ULP)技术可以将面积减少10%,将速度增益提高30%以上,或者将功耗降低30%以上应用程序,这些应用程序包括图像处理,数字电视,机顶盒,智能手机和消费类产品。

同时,TSMC22nm超低泄漏(22ULL​​)技术可以显着降低功耗,这对于物联网和可穿戴设备的设计至关重要。

我们的TotalaleMMCIP解决方案经过硅验证,也可以用于台积电的40nm,28nm,16nm,12nm和7nm工艺中。

包含台积电12nmFFC测试芯片的eMMCHDK现在已向希望制作SoC原型的客户提供。

JEDEC的eMMC5.1规范通过“指令队列”提高了以3.2Gbps运行的HS400的速度,并且通过将软件开销卸载到控制器,数据传输是高效的。

eMMC5.1通过使用“增强的频闪”来进一步提高操作的可靠性。

在PHY层中。

eMMC5.1向后兼容现有的eMMC4.51和eMMC5.0设备。

自成立以来,Arasan一直是JEDECeMMC标准机构的成员。

在eMMC之前,Arasan在2001年开始提供3种多媒体卡(MMC)解决方案。

联系方式

ARF系列片式电阻器设计为低内部电抗。薄膜技术应用于电阻器是适当的,以减少寄生电感和电容。 低内部电抗允许这些器件在高频下保持非常好的电阻器行为。

查看详情

在线咨询